Miércoles 14 de octubre de 2026
SK hynix propone NAND 3D FeNAND capaz de ejecutar cálculos de IA dentro de la memoria
SK hynix presenta una investigación basada en un artículo del IEEE IEDM 2025 que usa memoria NAND 3D FeNAND para realizar operaciones de IA (multiplicación y acumulación) dentro de la propia memoria, reduciendo el movimiento de datos. La propuesta optimiza conjuntamente la celda, los circuitos no celulares y la organización de datos por página. Según simulaciones, la A-CiM basada en 3D FeNAND alcanza hasta 20 veces más rendimiento y hasta 5.000 veces más eficiencia energética que la memoria no volátil convencional.
Fuentes
- SK hynix[Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
- SK hynix[Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
- SK hynix[Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
- SK hynix[Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
- SK hynix[Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
- SK hynix[Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
- SK hynix[Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
- The Elec (KR)SK hynix Unveils 3D FeNAND for AI Computing